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使用單顆粒 ICP-MS 在反應(yīng)模式下分析SiO2納米顆粒

檢測樣品:SiO2納米顆粒

檢測項目:測量和表征

方案概述:本工作將討論在反應(yīng)模式下,通過SP-ICP-MS檢測、測量和表征SiO2納米顆粒的能力。

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更新時間2021年05月26日

上傳企業(yè)珀金埃爾默企業(yè)管理(上海)有限公司

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隨著納米技術(shù)的發(fā)展,納米顆粒在各類產(chǎn)品和工藝中得到了廣泛應(yīng)用,人們對納米顆粒的表征要求也越來越高。
 
針對各類產(chǎn)品和工藝,人們制造且應(yīng)用了不同成分的納米顆粒,如油漆、材料的強化、半導(dǎo)體工藝中的精細拋光,以及對藥品和食品的除濕,防止其受潮。二氧化硅(SiO2)納米顆粒是日本第二大國產(chǎn)納米材料,僅次于炭黑。1
 
使用 ICP-MS 測量硅(Si)富有挑戰(zhàn)性。等離子體中形成的 14N2+和 12C16O+ 多原子離子,與豐度最高的 Si 同位素(28Si ≈ 92 %豐度)的 m/z 相同。因此,當多原子離子未被去除時(標準模式下),m/z28 處的背景等效濃度非常高。它抑制了低水平 Si 的測定,讓 SiO2 納米顆粒的檢測變得更加困難。此外,Si 的電離勢相對較高,其電離也更具挑戰(zhàn)性,導(dǎo)致其強度低于其它易電離的元素,如 Na。
 
然而,如果能提高信背比(S/B),就有可能檢測到更小的 SiO2 納米顆粒。在之前的應(yīng)用報告中,2 我們介紹過 100 nm SiO2 納米顆粒標準品可以使用 SP-ICP-MS 進行分析,且無需去除干擾(標準模式 下)。然而,如果能在反應(yīng)模式下去除干擾,預(yù)期能精準測量更小的 SiO2 納米顆粒。
 
本工作將討論在反應(yīng)模式下,通過 SP-ICP-MS 檢測、測量和表征 SiO2 納米顆粒的能力。
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